次世代半導体の国産化を目指すラピダスとプリンター大手セイコーエプソンは３日、北海道千歳市に新設する研究開発拠点の着工式を開いた。半導体の組み立てなどの「後工程」を研究する。ラピダスは２０２７年の量産開始に向けて弾みをつけたい考えだが、巨額の資金調達や技術確立といった課題もある。 　新拠点は、ラピダスが千歳市に建設している工場に隣接するセイコーエプソンの事業所内に設ける。床面積約９千平方メートルのクリーンルームを備え、２５年４月から製造装置などを導入。２６年４月の研究開始を目指す。 　半導体の製造工程には主に基板に電子回路を形成する「前工程」と、基板を細かいチップに切って樹脂のパッケージに収める「後工程」がある。新拠点では研究用の試作ラインを設け、後工程の自動化を含めた量産技術の開発を進める。 　ラピダスが目指す回路線幅２ナノメートル（ナノは１０億分の１）相当の半導体の量産には、５兆円規模の投資が必要とされる。資金調達以外にも先端技術を確立できるかどうかや、量産後の顧客獲得も課題とされている。


鄭重声明：本文の著作権は原作者に帰属します。記事の転載は情報の伝達のみを目的としており、投資の助言を構成するものではありません。もし侵害行為があれば、すぐにご連絡ください。修正または削除いたします。ありがとうございます。